简介
KYGP10压力变送器采用单晶硅技术压力传感器,单晶硅压力传感器位于金属本体顶部,远离介质接触面,实现机械隔离和热隔离,玻璃烧结一体的传感器引线与金属基体的高强度电气绝缘,提高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力,可应对复杂的化学场合和机械负荷,同时具备较强的抗电磁干扰能力,适合苛刻的流程工业环境中压力测量应用。
优势
单晶硅压阻技术压力传感器
中心膜片过载防护结构
特征
测量范围: 40kPa~40MPa
输出信号: 4-20mA,4~20mA/HART
参考精度: ±0.1%,±0.075%,±0.05% URL
介质温度: -40-120℃,
测量介质:液体、气体或蒸汽
电源: 4~20mA 二线制, 10.5-55vdc、4~20mA+HART 二线制, 16.5-55vdc
膜片材质:316L不锈钢,哈氏合金C
年稳定性: ±0.2% URL/5年
过程连接: M20*1.5(M), 1/2-14NPT(F), 1/4-18NPT(F)
防护等级: IP67
认证: 防爆认证
型号:KYGP10-T11G11F-L1
KYGP10-T11A11F-L1
KYGP10-T11B11F-L1
KYGP10-T11C11F
KYGP10-T11D11F-L1
KYGP10-T11G31F-L1
KYGP10-T11A31F-L1
KYGP10-T11B31F-L1
KYGP10-T11C31F
KYGP10-T11D31F-L1